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         高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類，高純石墨許多用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎(chǔ)材料首要是硅單晶芯片，現(xiàn)在硅單晶的成長工藝首要選用直拉(CZ)法，其他方法還有磁場(chǎng)直拉法(MCZ)、區(qū)域(FZ)法以及雙坩堝拉晶法，全球電子工業(yè)用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%,直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，選用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱體系。2005年我國需求直拉硅單晶爐用石墨約800t。
        高純石墨另一重要用處是加工成各類坩堝，用于出產(chǎn)、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的一切元素的光譜化學(xué)分析,光譜分析用石墨電極用揉捏方法成型。制品的雜質(zhì)元素含量應(yīng)不大于6*10-5在光譜分析中制備規(guī)范樣品和用化學(xué)方法捕集雜質(zhì)時(shí)需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對(duì)雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用處方面，需求含碳量抵達(dá)99.9995%,總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有揉捏成型、模壓成型及等靜壓成型三種。
       石墨是制作核反應(yīng)堆運(yùn)用的減速材料和反射材料之一，早期的反應(yīng)堆都是石墨堆。作為結(jié)構(gòu)材料運(yùn)用的核反應(yīng)堆用石墨在選用原料、工藝操控、制品查驗(yàn)上比石墨電極嚴(yán)厲得多，也貴重得多，核反應(yīng)堆用石墨必需具備下列功用：對(duì)慢中子的吸收量小、高溫強(qiáng)度好、抗熱震性高、對(duì)快中子的減速功用好、在輻照下尺寸安穩(wěn)、雜質(zhì)含量很少。硼、鎘等易于吸收中子的元素要嚴(yán)厲操控其含量。
       核石墨必需有較高的體積密度M由于石墨對(duì)快中子的減速效果是依托快中子對(duì)碳原子的磕碰效果而完結(jié)的M單位體積內(nèi)碳原子越多M減果越好M所以體積密度是核石墨的首要指標(biāo)之一M體積密度也與石墨的氣孔率和滲透率直接有關(guān)M為了避免核燃料及載熱體的丟失M要將氣孔率及滲透率降低到必定水平。石墨的機(jī)械強(qiáng)度也與其體積密度有關(guān)，一般石墨堆運(yùn)用的核石墨的體積密度在1.7-1.75g/cm3。
        用于發(fā)電的核反應(yīng)堆現(xiàn)在首要是不需求用石墨的壓水堆，但專家估計(jì)高溫氣冷堆很有發(fā)展前途，高溫氣冷堆則需求許多的高檔石墨材料9在高溫氣冷堆中由于用氦氣作為冷卻劑，用炭素及陶瓷材料作為燃料的包覆材料，用石墨或炭質(zhì)材料作為減速材料和爐芯結(jié)構(gòu)材料，可以把挨近-5的高溫氣體導(dǎo)出反應(yīng)堆外作為動(dòng)力運(yùn)用。
        雖然國際上對(duì)各向同性石墨的界說有待于進(jìn)一步清晰，一般是測(cè)量產(chǎn)品直徑方向和長度方向的某些物理功用指標(biāo)并核算其比值，有的用熱膨脹系數(shù)的比值標(biāo)明，較簡略的是以電阻率的比值標(biāo)明，其異向比在1.0-1.1范圍內(nèi)稱為各向同性產(chǎn)品，超過1.1稱為各向異性產(chǎn)品。日本等工業(yè)技術(shù)先進(jìn)國家用等靜壓成型方法出產(chǎn)的大型各向同性石墨直徑達(dá)1.5m，長度達(dá)3%，體積密度抵達(dá)1.95-2.0g/cm3，各向異性比縮小到1.05。制造各向同性石墨除運(yùn)用一般石油焦外，還運(yùn)用改性瀝青焦、天然瀝青焦、氧化石油焦、不經(jīng)煅燒的生石油焦、天然石墨等。